在康普顿闪光过程中,电子与X射线或其他高能射线发生弹性散射,使得高能射线的波长变长,这是吸收辐射能的主要途径之一。在康普顿效应中,单个光子与单个自由电子或束缚电子碰撞。在碰撞中,光子将部分能量和动量传递给电子,导致电子反冲。电子-正电子对是指辐射能直接转化为物质的过程,也是高能粒子通过物质时无机闪烁晶体吸收高能射线的主要途径之一。要产生正负电子对,光子的总能量必须大于1.02MeV。当物体受到高能电磁辐射时,其作用主要取决于入射光子的能量和闪烁体上离子吸收的原子数量。一般0.1MeV以下的光子能量主要是光电效应,0.1 ~ 10mv主要是康普顿闪光,10mv以上主要是正负电子对效应。1995年,Tetsuhiko等人总结并重新研究了Ce:YAP晶体的光学特性。安徽白光LED用CeYAP晶体性能
电子、空穴和激子的相互作用将导致局域化。许多离子晶体表现出一种有趣的现象,即价带空穴位于正常晶格中,这种现象被称为自陷。在热化过程中,空穴达到价带的顶部,并被限制在特定的阴离子中。对于碱金属卤化物晶体,这意味着一个卤化物离子转变成一个原子:X- X0。该卤原子X0将在一定程度上极化环境,并且该系统将显示出轴向弛豫,导致这种局部空穴被两个相邻的阴离子共享。这种状态被称为X2分子或Vk中心。在低温下(通常t
用温梯法成功生长了直径为 110mm 的大尺寸 Ce: YAG 闪烁晶体,晶体具有良好的外形和光学性质。研究了不同温度和气氛等退火条件对 Ce: YAG(TGT)闪烁晶体发光性能的影响,发现1100℃ 氧气退火对提高晶体的发光强度具有比较好效果,发光强度提高了近60%。并初步分析了 Ce: YAG(TGT)闪烁晶体存在的缺陷以及其对晶体的发光性能和闪烁时间的影响。测试了大尺寸 Ce: YAG 闪烁晶体的相对光输出、γ射线灵敏度与DD中子灵敏度、γ射线相对能量响应等性能,结果表明温梯法生长的Ce: YAG 晶体在高能射线和中子探测方面具有较大的应用价值。 陕西CeYAP晶体供应YAP中形成色心的另外一种可能原因是晶体中存在杂质离子.
为了研究过渡金属可能对Ce: YAP晶体性能的影响,我们生长了Mn 离子掺杂的Ce: YAP 晶体,并与Mn: YAP和Ce: YAP 晶体进行了比较。选用Mn 离子一是由于Mn 对YAP 晶体的吸收谱影响很大;二是M. A. Noginov等人将Ce离子掺入Mn: YAP中来获得三价Mn离子[113],Ce3+离子可以为Mn4+ 离子提供一个电子,使其变成三价:Ce3+ + Mn4+ → Ce4+ + Mn3+,正好研究Mn 对Ce离子价态变化的影响;而且Mn离子和Ce离子之间可能存在能量传递过程,对研究Ce: YAP晶体的闪烁性能会有一些参考作用。不同温度退火的Fe: YAP样品的吸收光谱和差分吸收光谱。
作为未掺杂晶体的ceF3具有本征发光,而另一方面,以Ce为基质的晶体和以Ce为掺杂剂的晶体表现出与Ce3相同的5d4f跃迁发光。表1-2无机闪烁体中主要电子跃迁和发光中心的分类,对于闪烁体,一般要求其发光中心具有较高的辐射跃迁概率。表1-2总结了无机闪烁晶体中几种主要类型的发光中心。具有S20外层电子构型的类汞离子可以产生很高的光输出,但很难获得很短的衰变时间。Eu2也存在类似的情况。Ce3的5d4f跃迁是允许的跃迁,在各种衬底中既有高光输出又有快衰减时间。CeYAP晶体电子陷阱中捕获的电子受环境影响较小。北京进口CeYAP晶体出厂价
Ce 3的光致发光强度呈单指数形式衰减,室温下其衰减常数约为16-18n。安徽白光LED用CeYAP晶体性能
自从我们使用闪烁材料探测辐射以来,已经将近一个世纪了。在本世纪,一些重要的闪烁材料因其商业应用前景而得到广泛应用,或者因其优异的性能而在科学研究中得到普遍关注和发展。CeYAG提拉法晶体生长的吗?当光线与闪烁晶体相互作用时,晶体中电子空穴对Neh的数量直接影响晶体的光输出。在高能射线探测应用中,经常使用高密度无机闪烁晶体。因为高晶体密度可以减小探测器的尺寸。 山东生长CeYAP晶体YAP中形成色心的另一可能原因是晶体中存在杂质离子.安徽白光LED用CeYAP晶体性能
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